三星宣布已开始生产采用新 GAA 架构的3nm 芯片。减少芯片光刻机的战争仍在如火如荼地进行，今天它朝着这个方向迈出了非常重要的一步。让我们看看所有的细节。

三星已经生产 3nm 芯片，芯片效率和性能之战的新里程碑

韩国三星是世界上少数能够以溶剂方式制造芯片的公司之一。与台积电一起，他们在市场上占据主导地位，但在激烈竞争的背景下，他们需要改进制造工艺。始终需要具有更先进光刻机的更好芯片：缩小纳米意味着提高效率并生产性能更好的更密集芯片，但实现起来非常困难。

出于这个原因，好消息是三星已经开始生产其 3nm 芯片，该芯片采用 MBCFET 类型的 GAA(Gate-All-Around)晶体管架构。因此，逐渐被淘汰的 FinFET 的局限性得到了克服。

与5nm工艺相比，采用三星3nm光刻技术制造的芯片，功耗可降低45%，性能提升高达23%，芯片面积减少16%。而这一切都是为了第一代3nm，因为第二代可以做得更好。

我们希望在未来几个月内，第一批采用这种光刻技术制造的芯片产品将开始上市。三星几个月来一直在“安全”生态系统的背景下与其客户合作，他们打算通过该生态系统让Nvidia 等芯片设计师的一切变得更好、更容易。